Memoria RAM LPDDR5X y UFS 3.0 para el Samsung Galaxy S11 4i4x64

Este año no se puede decir que haya sido un mal año para la tecnología móvil. Hemos visto muchas novedades, las cuales, se han centrado más en el diseño de los dispositivos. Realmente hay poco que hacer cuando hablamos de rendimiento, pues los dispositivos de gama alta cada vez incluyen más potencia, la cual, puede llegar a ser bastante innecesaria. Hoy tenemos noticias que llegan por parte de Roland Quandt sobre el próximo procesador Exynos y Qualcomm para 2020. Este nos ha contado que tendremos novedades importantes en estos chips, los cuales, serán los encargados de dar vida al próximo Samsung Galaxy S11.

Sí, es pronto para hablar de las novedades que llegarán a principios de 2020, pero la tecnología no para de avanzar y nos deja con muy buenas pistas de lo que podríamos ver. Este año Samsung ha presentado los chips de memoria UFS 3.0, los cuales, en la actualidad, solo están comercializados por el OnePlus 7 y OnePlus 7 Pro. Los Galaxy S10 no tienen este tipo de almacenamiento.

Dos memorias mucho más rápidas para el Galaxy S11 51h12

Todavía no conocemos la mayoría de detalles del Samsung Galaxy S11, aunque ya comienzan las especulaciones sobre algunas tecnologías que podría adoptar. Hoy Roland Quandt ha confirmado que la próxima generación de procesadores fabricados por Samsung (Exynos y Qualcomm) tendrán soportes nuevos y muy interesantes. Hablamos de chips de memoria RAM LPDDR5X, un paso hacia adelante, pues estamos ante protocolos mucho más veloces.

Estos procesadores también incluirán soporte para memorias UFS 3.0, posiblemente los chips que más se utilizarán en los gama alta de 2020. El conjunto de esta memoria RAM y los chips de almacenamiento tan rápidos nos dejarán con cifras muy interesantes en el rendimiento general del dispositivo. Aunque todavía no está confirmado al 100%, lo más probable es que el Galaxy S11 adopte ambas tecnologías: DDR5 y UFS 3.0.

Son muy buenas noticias, pues la velocidad es clave para el rendimiento de un dispositivo. No podemos decir que sea totalmente necesaria la implementación de estas dos tecnologías, pero sin duda alguna serán bienvenidas por la comunidad. Todavía no conocemos las ventajas de los chips de RAM DDR5 en móviles, pero sí de lo que es capaz un chip de almacenamiento UFS 3.0. Esto quiere decir que el Samsung Galaxy S11 será, al menos, el doble de rápido que el Galaxy S10 cuando hablamos de lectura y escritura en la memoria.

Vía | PhoneArena